| NH3-MBE生长极化场二维电子气材料 |
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| 引用本文： | 孙殿照,刘宏新,王军喜,王晓亮,刘成海,曾一平,李晋闽,林兰英.NH3-MBE生长极化场二维电子气材料[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):350-353. |
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| 作者姓名： | 孙殿照 刘宏新 王军喜 王晓亮 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体所材料中心,北京,100083 |
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| 摘 要： | 介绍了用ＮＨ３－ＭＢＥ技术在蓝宝石Ｃ面上外延的高质量的ＧａＮ单层膜以及ＧＮ／ＡｌＮ／ＧａＮ极化感应二维电子气材料。外延膜都是Ｎ面材料。形成的二维电子气是“倒置二维电子气”。ＧａＮ单层膜的室温电子迁移率为３００ｃｍ＾２／Ｖｓ。二维电子气材料的迁移率为６８０ｃｍ＾２／Ｖｓ（ＲＴ）和１７００ｃｍ＾２／Ｖｓ（７７Ｋ）,相应的二维电子气的面密度为３．２＊１０＾１３ｃｍ＾－２（ＲＴ）和２．６ｘ１０＾１３ｃｍ＾
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| 关 键 词： | 氮化镓 分子束外延 二维电子气 极化 |
| 修稿时间： | 2000－ |
GaN/AlN/GaN heterostructures grown by ammonia-molecular beam epitaxy |
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| SUN Dian-zhao,LIU Hong-xin,WANG Jun-xi,WANG Xiao-liang,LIU Cheng-hai,ZENG Yi-ping,LI Jin-min,LIN Lan-ying.GaN/AlN/GaN heterostructures grown by ammonia-molecular beam epitaxy[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(4):350-353. |
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| Authors: | SUN Dian-zhao LIU Hong-xin WANG Jun-xi WANG Xiao-liang LIU Cheng-hai ZENG Yi-ping LI Jin-min LIN Lan-ying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN GSMBE 2DEG Polarizatx |
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