| GaN 基材料生长及其在光电器件领域的应用 |
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| 引用本文： | 王三胜,顾彪,徐茵,秦福文,杨大智.GaN 基材料生长及其在光电器件领域的应用[J].电子器件,2002,25(1):1-8. |
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| 作者姓名： | 王三胜 顾彪 徐茵 秦福文 杨大智 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 基金项目： | 国家863项目新材料领域课题(715 -0 11-0 0 3 3 )，国家自然科学基金(699760 0 8) |
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| 摘 要： | GaN具有禁带宽，热导率高，电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点，在高度亮发光二极管，短波长激光二极管，高性能紫外探测器和高温，高频，大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。本文介绍了GaN基半导体材料的制备方法，异质结构以及在光电子和微电子器件领域的应用，并讨论了今后的发展趋势。
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| 关 键 词： | 外延生长 基材 氮化镓 光电器件 |
| 文章编号： | 1005-9490(2002)01-0001-08 |
| 修稿时间： | 2001年7月9日 |
GrowthMethods and Its Appl ication s in Optoelectron ic Dev ices
of GaN-Based Sem iconductorMater ials |
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| W A N G S ansheng,GU B iao,X U Y in,DOU B aof eng,Q IN F uw en,YA N G D az h I.GrowthMethods and Its Appl ication s in Optoelectron ic Dev ices
of GaN-Based Sem iconductorMater ials[J].Journal of Electron Devices,2002,25(1):1-8. |
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| Authors: | W A N G S ansheng GU B iao X U Y in DOU B aof eng Q IN F uw en YA N G D az h I |
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| Affiliation: | N ational K ey L ab. of M aterialM od if ication by 3- B eam s, D alian U niv· of T ech |
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| Abstract: | GaN materials the characteristics of wide bandgap, high thermal conductivity, large electron saturation shift velocity and low dielectric constant. They have wide applications in those fields such as high brightness light emitting diodes, short wavelength laser diodes, high performance UV detector, and high temperature, high frequency, large power semiconductor devices. This paper introduces the growth methods, heterostructure and its applications in optoelectronic and micorelectronic fields of GaN semiconductor materials, followed by our opinions of the analysis for further studies. |
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| Keywords: | GaN epitaxy growth doping semiconductor devices |
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