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| 基于Sentaurus Device的4H-SiC PiN二极管的仿真 | |
| 作者姓名： | 孙佳哲 王磊 |
| 作者单位： | 同济大学; |
| 摘 要： | 该文通过4H-Si C Pi N二极管的模拟,给4H-Si C Pi N二极管加了一个5V电压,在室温T=300K的情况下分析了4H-Si C Pi N二极管的直流特性和温度特性,从而介绍了Synopsys Inc.开发的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。 |
| 关 键 词： | H-Si C Pi N二极管 Si Sen Taurus Device |
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