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| MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜 | |
| 引用本文： | 覃礼钊,吴正龙,张旭,刘安东,廖斌.MEVVA离子注入技术制备DLC:Ni多层厚膜[J].核技术,2008,31(11). |
| 作者姓名： | 覃礼钊 吴正龙 张旭 刘安东 廖斌 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875;遵义师范学院物理系,遵义,563000 2. 北京师范大学分析测试中心,北京,100875 3. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 |
| 基金项目： | 贵州省遵义市科技局资助项目，遵义师范学院科技研发基金 |
| 摘 要： | 采用金属蒸汽真空弧（Metal Vapor Vacuum Arc，MEVVA）离子源注入技术，将Ni离子注入到类金刚石（Diamond．1ikeCarbon，DLC）膜中，并重复沉积和注入过程，制备出2个层数分别为10层和15层、厚度达1．0μm和1．5μm、注入剂量不同的DLC：Ni膜样品。性能测试结果显示，膜内应力得到有效释放，膜基结合紧密，仍保持较高sp3含量以及较高硬度和弹性模量，是一种制备DLC厚膜的有效方法。 |
| 关 键 词： | MEVVA源 类金刚石膜 多层膜 厚膜 |
Thick DLC:Ni multilayer films fabricated by MEVVA ion implantation |
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| QIN Lizhao,WU Zhenglong,ZHANG Xu,LIU Andong,LIAO Bin.Thick DLC:Ni multilayer films fabricated by MEVVA ion implantation[J].Nuclear Techniques,2008,31(11). | |
| Authors: | QIN Lizhao WU Zhenglong ZHANG Xu LIU Andong LIAO Bin |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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