| 850nm高亮度半导体激光器腔面膜技术研究 |
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| 引用本文： | 朱立岩,付秀华.850nm高亮度半导体激光器腔面膜技术研究[J].长春理工大学学报,2007,30(1):18-20. |
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| 作者姓名： | 朱立岩 付秀华 |
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| 作者单位： | 长春理工大学,长春,130022;长春理工大学,长春,130022 |
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| 摘 要： | 利用真空镀膜设备,采用电子束离子辅助蒸发技术,在条宽100μm腔长1mm的半导体激光器发光芯片的端面沉积光学介质膜。经测试采用这种技术制作出的高亮度半导体激光器发光芯片的输出功率达3.6W,与未镀膜的器件相比功率提高了2.5-3.1倍,外微分量子效率提高到89.76%,功率效率达到40.2%。激射波长为850.7nm。
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| 关 键 词： | 高反射膜 减反射膜 光学灾变(COD) 阈值电流密度 |
| 文章编号： | 1672-9870（2007）01-0018-03 |
| 收稿时间： | 2006-08-10 |
| 修稿时间： | 2006年8月10日 |
The Technical Development of the 850nm High- luminance Semiconductor Laser's Film |
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| ZHU Liyan,FU Xiuhua.The Technical Development of the 850nm High- luminance Semiconductor Laser's Film[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,2007,30(1):18-20. |
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| Authors: | ZHU Liyan FU Xiuhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HR film AR film COD Threshold current density |
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