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| 用低压MOCVD技术在Si衬底上一步生长GaAs层 | |
| 引用本文： | 师庆华.用低压MOCVD技术在Si衬底上一步生长GaAs层[J].液晶与显示,1991(4). |
| 作者姓名： | 师庆华 |
| 摘 要： | 用3～4乇低压 MOCVD 技术在 Si(100)<011>偏4°衬底上成功地生长了 GaAs 外延层,使用的源材料是 TEG 和AsH_3,温度为590～610℃。这是一种一步生长技术,没有初始缓冲层或中间层。5μm 厚的 GaAs 层具有1×10~6～5×10~6/cm~2的蚀坑密度。对于4.5～5μm 厚GaAs 层的(400)反射,x 线衍射的 FWHM |
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