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用低压MOCVD技术在Si衬底上一步生长GaAs层
作者姓名:
师庆华
摘 要:
用3~4乇低压 MOCVD 技术在 Si(100)<011>偏4°衬底上成功地生长了 GaAs 外延层,使用的源材料是 TEG 和AsH_3,温度为590~610℃。这是一种一步生长技术,没有初始缓冲层或中间层。5μm 厚的 GaAs 层具有1×10~6~5×10~6/cm~2的蚀坑密度。对于4.5~5μm 厚GaAs 层的(400)反射,x 线衍射的 FWHM
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