| 原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能 |
| |
| 引用本文： | 夏咏锋,曾宇平,江东亮
. 原位反应结合多孔Si3N4陶瓷的制备及其介电性能[J]. 无机材料学报, 2008, 23(4): 705-709. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2008.00705 |
| |
| 作者姓名： | 夏咏锋 曾宇平 江东亮
|
| |
| 作者单位： | 1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050;2.中国科学院研究生院,北京100049 |
| |
| 摘 要： | 以氮化硅(Si3N4)和氧化铝(Al2O3)为起始原料, 利用原位反应结合技术制备Si3N4多孔陶瓷. 研究烧结温度和保温时间对Si3N4多孔陶瓷的微观结构、力学性能以及介电性能的影响. 结果表明: 烧结温度在1350℃以下, 保温时间<4h时, 随着烧结温度的升高, 保温时间的延长, 样品的强度和介电常数增大; 但条件超出这个范围, 结果刚好相反; 物相分析表明多孔陶瓷主要由Si3N4和Al2O3以及Si3N4氧化生成的SiO2(方石英)组成. 所制备的多孔Si3N4陶瓷的气孔率范围为25.34%～48.86%, 抗弯强度为34.77～127.85MPa, 介电常数为3.0～4.6, 介电损耗约为0.002.
|
| 关 键 词： | Si3N4多孔陶瓷 介电性能 反应结合 气孔率 |
| 收稿时间： | 2007-09-20 |
| 修稿时间： | 2007-12-24 |
Preparation and Dielectric Properties of In Situ Reaction Bonded Porous Si3N4 Ceramics |
| |
| XIA Yong-Feng,ZENG Yu-Ping,JIANG Dong-Liang. Preparation and Dielectric Properties of In Situ Reaction Bonded Porous Si3N4 Ceramics[J]. Journal of Inorganic Materials, 2008, 23(4): 705-709. DOI: 10.3724/SP.J.1077.2008.00705 |
| |
| Authors: | XIA Yong-Feng ZENG Yu-Ping JIANG Dong-Liang |
| |
| Affiliation: | 1.ShanghaiInstituteofCeramics,ChineseAcademyofSciences,Shanghai200050,China;2.GraduateUniversityoftheChineseAcademyofSciences,Beijing100049,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | porous Si3N4 ceramics dielectric properties in situ reaction bonding porosity |
|
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
|
