| SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延 |
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| 引用本文： | 韩永召,李炳宗,茹国平,屈新萍,曹永峰,徐蓓蕾,蒋玉龙,王连卫,张荣耀,朱剑豪.SiO_x调制的三元硅化物(Co_(1-x)Ni_x)Si_2外延[J].半导体学报,2001,22(10):1269-1273. |
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| 作者姓名： | 韩永召 李炳宗 茹国平 屈新萍 曹永峰 徐蓓蕾 蒋玉龙 王连卫 张荣耀 朱剑豪 |
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| 作者单位： | 复旦大学电子工程系,,中国科学院上海冶金研究所,香港中文大学电子工程和材料科学与技术研究中心,香港城市大学物理和材料科学系 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;69776005; |
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| 摘 要： | 报道了通过 Co/ Ni/ Si Ox/ Si(10 0 )体系固相反应 ,实现三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 薄膜外延生长及薄膜特性的表征 .测试结果表明 ,中间氧化硅层对原子扩散起到阻挡作用 .XRD和 RBS图谱显示 ,有中间层的样品所形成的硅化物膜和硅衬底有良好的外延关系 .而 Co/ Ni/ Si(10 0 )体系 ,则形成多晶硅化物膜 ,和硅衬底没有外延关系 .外延三元硅化物 (Co1 - x Nix) Si2 膜的晶格常数介于 Co Si2 和 Ni Si2 之间 ,从而可以降低生成膜的应力 .薄膜的厚度约为110 nm;最小沟道产额 (χmin)为 2 2 % .外延三元硅化物膜的电阻率约为 17μΩ· cm ;高温稳定性达
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| 关 键 词： | 三元硅化物 固相反应 外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)10-1269-05 |
| 修稿时间： | 2000年11月3日 |
SiOx Mediated Epitaxial Ternary Silicide (Co1-xNix)Si2 |
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| HAN Yong zhao ,LI Bing zong ,RU Guo ping ,QU Xin ping ,CAO Yong feng ,XU Bei lei ,JIANG Yu long ,WANG Lian wei ,ZHANG Rong yao and P K Chu.SiOx Mediated Epitaxial Ternary Silicide (Co1-xNix)Si2[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(10):1269-1273. |
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| Authors: | HAN Yong zhao LI Bing zong RU Guo ping QU Xin ping CAO Yong feng XU Bei lei JIANG Yu long WANG Lian wei ZHANG Rong yao and P K Chu |
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| Affiliation: | HAN Yong zhao 1,LI Bing zong 1,RU Guo ping 1,QU Xin ping 1,CAO Yong feng 1,XU Bei lei 1,JIANG Yu long 1,WANG Lian wei 2,ZHANG Rong yao 3 and P K Chu 4 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ternary silicide solid state reaction epitaxy |
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