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YIG调谐器件漏磁特性仿真分析
引用本文:蓝江河,刘进.YIG调谐器件漏磁特性仿真分析[J].磁性材料及器件,2013(5):67-69.
作者姓名:蓝江河  刘进
作者单位:西南应用磁学研究所,四川绵阳,621000
摘    要:YIG调谐器件在现代电子对抗系统中应用广泛,但针对YIG调谐器件的漏磁特性缺乏定量分析。通过对YIG调谐器件的漏磁特性建模及仿真,特别是针对测试样品射频连接器区域磁场仿真和漏磁测量,得到其漏磁分布曲线,实现了YIG调谐器件的漏磁定量分析,为YIG调谐器件工程应用中抗漏磁干扰设计提供了依据。此外,该研究对于有效降低YIG调谐器件的漏磁干扰,提高整机系统技术指标和改善工作性能有着一定的指导意义。

关 键 词:YIG调谐器件  漏磁  仿真分析

Simulation analysis on flux leakage of YIG-tuned device
LAN Jiang-he , LIU Jin.Simulation analysis on flux leakage of YIG-tuned device[J].Journal of Magnetic Materials and Devices,2013(5):67-69.
Authors:LAN Jiang-he  LIU Jin
Affiliation:LAN Jiang-he;LIU Jin;Southwest Institute of Applied Magnetics;
Abstract:
Keywords:YIG-tuned device  flux leakage  simulation
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