| C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术 |
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| 引用本文： | 徐立生,何建华,苏文华,齐俊臣.C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术[J].微纳电子技术,1995(1). |
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| 作者姓名： | 徐立生 何建华 苏文华 齐俊臣 |
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| 作者单位： | 石家庄电子部第１３研究所 |
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| 摘 要： | 叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。
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| 关 键 词： | GaAs微波功率场效应晶体管，加速寿命试验，可靠性 |
Rapld Estimation Technology of CaAs Power FET Reliability in C-Band |
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| Xu Lisheng,He Jianhua,Su Wenhua,Qi Junchen.Rapld Estimation Technology of CaAs Power FET Reliability in C-Band[J].Micronanoelectronic Technology,1995(1). |
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| Authors: | Xu Lisheng He Jianhua Su Wenhua Qi Junchen |
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| Abstract: | This Paper introduces a way of rapidly estimating GaAs microwave power FET-high temperature accelerated life tests.It's used to estimate the reliability of GaAs power FET DX0011. When the bias V_(DS) is 8V,I_(DS) is 375mA,and the channel temperature T_(ch) is 110 ℃, the failure rate for ten years is 27 FIT. The main failure mode is I_(DSS) degradation. Activation energy E is about 1.28eV. |
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| Keywords: | GaAs microwave power FET Accelerated life test Reliability |
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