| InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响 |
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| 引用本文： | 田方坤,艾立鹍,孙国玉,徐安怀,黄华,龚谦,齐鸣.InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响[J].红外与毫米波学报,2022,41(4):726-732. |
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| 作者姓名： | 田方坤 艾立鹍 孙国玉 徐安怀 黄华 龚谦 齐鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050;中国科学院大学 材料科学与光电子工程中心，北京 100049,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050,海南师范大学 材料科学与光电工程研究中心，海南 海口 571158,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050,中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中科院太赫兹固态技术重点实验室，上海 200050 |
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| 基金项目： | Supported by National Natural Science Foundation of China（61434006） |
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| 摘 要： | 采用气体源分子束外延（GSMBE）技术，研究了InP衬底上InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对In0.66Ga0.34As/InyAl1-yAs高迁移率晶体管（HEMT）材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明，在300 K（77 K）时，电子迁移率和电子浓度分别为8 570 cm2/（Vs）-1（23 200 cm2/（Vs）-1）3.255E12 cm-2（2.732E12 cm-2）。当InyAl1-yAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时，材料的表面形貌得到了很好的改善，均方根粗糙度（RMS）为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。
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| 关 键 词： | In y Al1- y As线性渐变缓冲层 磷化铟 高电子迁移率场效应晶体管 |
| 收稿时间： | 2021/11/18 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/8/11 0:00:00 |
Influence of InyAl1-yAs graded buffer layer on properties of InP-HEMT materials |
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| TIAN Fang-Kun,AI Li-Kun,SUN Guo-Yu,XU An-Huai,HUANG Hu,GONG Qian and QI Ming.Influence of InyAl1-yAs graded buffer layer on properties of InP-HEMT materials[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2022,41(4):726-732. |
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| Authors: | TIAN Fang-Kun AI Li-Kun SUN Guo-Yu XU An-Huai HUANG Hu GONG Qian and QI Ming |
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