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SOI技术的机遇和挑战
引用本文:徐文华,张天义,汪红梅,张兴. SOI技术的机遇和挑战[J]. 电子器件, 2001, 24(1): 72-78
作者姓名:徐文华  张天义  汪红梅  张兴
作者单位:北京大学微电子学研究所.
摘    要:本文较为系统地描述了SOI技术的特点,分析了SOI技术中存在的问题和发展的潜力,最后得出了SOI技术将在特征尺寸小于0.1um,电源电压小于1V的新一代集成电路技术中得到了广泛应用。

关 键 词:SOI技术 CMOS 集成电路
文章编号:1005-9490(2001)01-0072-07
修稿时间:2000-11-22

The Opportunity and Challenge of SOI Technology
Xu Wenhua,ZHANG Tianyi,WONG Hongmei,ZHANG Xing. The Opportunity and Challenge of SOI Technology[J]. Journal of Electron Devices, 2001, 24(1): 72-78
Authors:Xu Wenhua  ZHANG Tianyi  WONG Hongmei  ZHANG Xing
Abstract:The potential advantages and shortcomings of SOI technology wer discussed in detail in this paper. The trends of developing CMOS/SOI integrated circuits and SOI materials are presented also. At last, the conclusion which the CMOS/SOI technology will become the main technology of IC when the dimension is smaller than 0.1 micron and the supply voltage is lower than 1 voltage is given.
Keywords:SOI technology  CMOS  integrated circuits  
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