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| 过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT | |
| 引用本文： | 姚飞,成步文,薛春来,王启明.过腐蚀自对准离子注入法制备SiGe HBT[J].半导体学报,2005,26(13):117-120. |
| 作者姓名： | 姚飞 成步文 薛春来 王启明 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083;中国科学院半导体研究所 集成光电子国家重点实验室，北京 100083 |
| 摘 要： | 用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管，过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀，为自对准离子注入提供了技术保障. 对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻，又有利于欧姆接触的制备，提高了器件的工艺成品率. |
| 关 键 词： | 过腐蚀 自对准 离子注入 SiGe HBT |
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