InP中的孪晶和晶界的同步辐射研究 |
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作者姓名: | 韩玉杰 蒋建华 等 |
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作者单位: | [1]中国科学院半导体研究所,北京912信箱100083 [2]中国科学院高能物理研究所北京同步辐射实验室,北京100039 |
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摘 要: | 实验观测到X射线反向曲线具有双晶特征。研究表明缺陷聚集在孪晶晶界。应力在晶界边缘处得到释放。应力的释放导致享晶和其它缺陷的形成。由于缺陷的形成在缺陷的附近产生无位错无应力或低位错小应力区。因此我们提出一种孪晶模型来解释实验结果。应力(主要是热应力),化学配比的偏离和杂质的非均匀分布是液封直接(LEC)InP单晶生长过程中产生孪晶的主要因素。研究了液封直拉(LEC)InP(111)面上的孪晶。本中讨论了上面提到的孪晶模型的实验证据和如何得到无孪晶液封直接(LEC)InP单晶。
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关 键 词: | InP 孪晶 晶界 同步辐射 磷化铟 面缺陷 晶体缺陷 半导体 |
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