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| 硅上异质外延氧化铝的X射线测试分析 | |
| 作者姓名： | 咎育德 郑文莉 等 |
| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所，北京912信箱100083 [2]中国科学院高能物理所，北京918信箱100039 |
| 摘 要： | 高剂量X射线粉末衍射测试说明升高温度有利于γ－Al2O3/Si外延生长，单晶衍射法证明应用低压CVD和高真空外延技术在我们的实验室生长出γ－Al2O3/Siuj单晶薄膜。它们的结晶关系是（100）γ－Al2O3/／Si，[010]γ－Al2O3//[010]Si。 |
| 关 键 词： | 硅 异质外延 氧化铝 X射线 测试 半导体 外延生长 |
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