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| 软X射线作用下的InP表面微结构 | |
| 引用本文： | 靳涛,奎热西,等.软X射线作用下的InP表面微结构[J].北京同步辐射装置年报,1997(1):119-120. |
| 作者姓名： | 靳涛 奎热西 |
| 作者单位： | [1]中国科学院新疆物理研究所，乌鲁木齐830011 [2]中国科学院高能物理研究所，北京100039 |
| 摘 要： | 同步辐射软X射线（白光）对InP表现进行了辐照。并对样品的表面电子结构作了UPS和XPS分析。结果显示，样品表面电子态变化明显，P3a峰化学位移大于In4d峰。与In非键合的P2p峰面积辐照后显增加。说明软X射线对InP表现F原子的电离损伤要大于In原子。 |
| 关 键 词： | 软X射线 InP 表面微结构 磷化铟 半导体 电离损伤 |
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