| 乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响 |
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| 引用本文： | 朱建强,刘涌,王靖,詹宝华,宋晨路,韩高荣. 乙烯掺杂对硅薄膜沉积速率和形貌的影响[J]. 硅酸盐通报, 2005, 24(6): 64-66 |
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| 作者姓名： | 朱建强 刘涌 王靖 詹宝华 宋晨路 韩高荣 |
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| 作者单位： | 浙江大学无机非金属材料研究所,杭州,310000 |
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| 摘 要： | 采用APCVD工艺用硅烷和乙烯为原料在620℃沉积硅薄膜.用AFM观察薄膜表面形貌,用SEM扫描截面测量薄膜厚度.FTIR光谱表明薄膜中存在Si-C.研究了C2H4/SiH4摩尔比对膜厚的影响,随着C2H4/SiH4的增大,薄膜的沉积速率降低,表明乙烯掺杂会抑制薄膜生长,同时乙烯的加入减弱了颗粒的异常长大.
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| 关 键 词： | APCVD 硅薄膜 乙烯掺杂 AFM FTIR, |
Effects of Ethylene doping on Deposition Rate and Surface Profile of Silicon Films |
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| Zhu Jianqiang,Liu Yong,Wang Jing,Zhan Baohua,Song Chenlu,Han Gaorong. Effects of Ethylene doping on Deposition Rate and Surface Profile of Silicon Films[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2005, 24(6): 64-66 |
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| Authors: | Zhu Jianqiang Liu Yong Wang Jing Zhan Baohua Song Chenlu Han Gaorong |
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| Affiliation: | Inorganic Nonmetallic Materials Institute, Zhejlang University, Hangzhou 310000 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | APCVD silicon film ethylene- doping AFM FTIR |
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