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| 0.5微米栅的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管——缩短栅长改善高频低噪声特性 | |
| 作者姓名： | 小川正毅 袁明文 |
| 摘 要： | 为了获得良好的砷化镓肖特基势垒场效应晶体管(简称 GaAs SBFET),有必要在结构上缩短栅长 L 减少寄生损耗。目前,尤其在缩短栅长方面已做出极大努力,并正在研究接触曝光、投影曝光以及电子束曝光方法。虽然已出售用接触曝光方法制作的1微米栅 GaAs SBFET,已经获得超过以前的硅双极晶体管高频低噪声特性,仍希望进一步缩短栅长。我们采用改良的接触曝光方法试制了0.5微米栅结构的 FET,已证实可以良好地批量生产。试制的 FET 得到了空前良好的高频低噪声特性,最高振荡频率 f_(max)为85千兆 |
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