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分类号
杂志ISSN号
离子注入半导体的激光退火
作者姓名:
田晋
作者单位:
田晋
:
摘 要:
叙述了用高功率激光辐射退火的离子注入硅的物理和电学性能。重点放在用激光退火和用常规热退火可以得到的材料性能的对比上。讨论了这些技术在高效率太阳电池制作上的应用,以及这种新技术在其它材料领域的可能应用。
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