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| 高纯InGaAs.InP 和 InGaAs/InP多层结构的气相外延生长 | |
| 引用本文： | 师庆华.高纯InGaAs.InP 和 InGaAs/InP多层结构的气相外延生长[J].液晶与显示,1987(1). |
| 作者姓名： | 师庆华 |
| 摘 要： | 一、引言与 InP(In_(0.53)Ga_(0.47)As)晶格相匹配的 InGaAs,在光子、电子和集成光电子学的应用方面受到了普遍的注意。载流子浓度低于10~(15)cm~(-3)的高纯 InGaAs 因与低载流子浓度有关的较低的器件电容,使其成为PIN 光探测器的特殊需要。与高纯 GaAs 有关的高电子迁移率对微波器件,如 FETs 和 |
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