| SiC薄膜的场致发射实验研究 |
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| 引用本文： | 李德昌,杨银堂,李跃进,朱长纯.SiC薄膜的场致发射实验研究[J].西安电子科技大学学报,1999,26(4):529-533. |
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| 作者姓名： | 李德昌 杨银堂 李跃进 朱长纯 |
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| 作者单位： | [1]西安电子科技大学物理系 [2]西安电子科技大学微电子所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,军事电子预研基金 |
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| 摘 要： | 利用常压化学气相淀积（ＡＰＣＶＤ）设备，在单晶Ｓｉ片上淀积出一层ＳｉＣ膜，这种ＳｉＣ薄膜可以用作和发射的阴极，该文了其和发现的Ｉ－Ｖ特性测试结果，结果表明，该薄膜的场致发射具有Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ的指数形式，而其发射场强的阈值约为１Ｖ／μｍ，在测试出的Ｉ－Ｖ特性曲线上，发现了共振隧穿特征，该特征值进一步研究。
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| 关 键 词： | 碳化硅薄膜 场致发射 测试实验 真空场致发射 |
An experimental study of field emission from SiC thin films |
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| LI De-chang,YANG Yin-tang,LI Yue-jin,ZHU Chang-chun.An experimental study of field emission from SiC thin films[J].Journal of Xidian University,1999,26(4):529-533. |
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| Authors: | LI De-chang YANG Yin-tang LI Yue-jin ZHU Chang-chun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | keywords |
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