| 计算非晶硅肖特基二极管电学参数的新方法 |
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| 引用本文： | 唐元洪. 计算非晶硅肖特基二极管电学参数的新方法[J]. 固体电子学研究与进展, 1988, 0(4) |
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| 作者姓名： | 唐元洪 |
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| 作者单位： | 湖南大学物理系 |
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| 摘 要： | <正> 一、 引言 非晶硅(α-Si)肖特基二极管是最基本的太阳能电池,但要从理论上计算其电学参数是比较困难的,因为必须知道材料能隙中的定域态密度分布g(E)。1972年以来虽已发展了多种技术(FE,SCLC,DLTS等)来测定g(E),但是没有一种方法是完善的,而且在分布形式和数值上的差别都显得很大,这给器件分析带来了困难。因而人们以传统的利用模型来研究隙态密度,对g(E)引入了各种各样的数学模型。但目前尚无足够的证据说明何种模型是正确的,所以在α-Si器件分析中只能靠直觉来选择模型,而且往往有所困惑。 本文提出了计算α-Si肖特基二极管电学参数的一种新方法,可以在不知道g(E)的具体分布形式下,计算出其电学参数,而且也不涉及选择模型的问题。
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A New Method of Calculating Electrical Parameters of Amorphous Silicon Schottky Diode |
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| Abstract: | It is difficult to calculate the electrical, parameters of amorphous Silicon(a-Si) Schottky diode, because the real distribution or right model of g(E) is unknown. In this paper we use a con copt of the effective density of the gap states for a-Si to deduce a set of formulas for calculating electrical parameters, without the real distribution or right model of g(E) being involved. |
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