| β-FeSi2/Si薄膜位向关系的计算 |
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| 引用本文： | 朱玉满,张文征,叶飞.β-FeSi2/Si薄膜位向关系的计算[J].材料科学与工程学报,2003,21(5):635-639. |
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| 作者姓名： | 朱玉满 张文征 叶飞 |
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| 作者单位： | 清华大学材料系,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，50271035， |
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| 摘 要： | 利用从固态相变产生的沉淀相惯习面总结出的△g平行法则，计算了β-FeSi2／Si半导体薄膜和Si基体之间可能的择优取向关系。根据界面匹配和结构的分析，建议最优衬底基面的晶体学位向。预测的界面是一个无理面，含有原子尺度台阶，晶格间具有良好匹配关系。以该界面位向作为Si衬底的基面有可能导致高质量金属硅化物β-FeSi2薄膜的生长。
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| 关 键 词： | β-FeSi2／Si薄膜 位向关系 计算 固态相变 半导体薄膜 晶格 取向 |
| 文章编号： | 1004-793X(2003)05-0635-05 |
| 修稿时间： | 2003年3月5日 |
Study of Orientation Relationship between β-FeSi2 Thin Film and Si Substrate |
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| ZHU Yu-man,ZHANG Wen-zheng,YE Fei.Study of Orientation Relationship between β-FeSi2 Thin Film and Si Substrate[J].Journal of Materials Science and Engineering,2003,21(5):635-639. |
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| Authors: | ZHU Yu-man ZHANG Wen-zheng YE Fei |
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