| PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理 |
| |
| 引用本文： | 斯剑霄,吴惠桢,徐天宁,曹春芳.PbSe外延薄膜空穴迁移率及其声子散射机理[J].半导体学报,2007,28(Z1):99-102. |
| |
| 作者姓名： | 斯剑霄 吴惠桢 徐天宁 曹春芳 |
| |
| 作者单位： | 斯剑霄（浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027;浙江师范大学数理信息学院,金华,321004）;吴惠桢（浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;徐天宁（浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027）;曹春芳（浙江大学物理系,硅材料国家重点实验室,杭州,310027） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:10434090)和教育部博士点基金(批准号:20060335035)资助项目 |
| |
| 摘 要： | 采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(5～8)×1017cm-3,室温空穴迁移率为～300cm2/(V·s),随温度降低迁移率增大,77K温度下的迁移率达到3×10cm2/(V·s).通过对PbSe薄膜中的载流子散射机理的理论分析,表明在77～295K温度范围内,PbSe的长纵光学波散射是影响载流子迁移率的主要机制.同时,Raman光谱测量显示,在温度≥203K时,不仅观察到了PbSe长纵光学声子散射LO(Г),还观察到了其他光学声子的散射,这些观察到的声子散射影响了PbSe的空穴迁移率.
|
| 关 键 词： | PbSe薄膜 迁移率 光学波散射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0099-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月24 |
Mobility and Phonon Scattering in Epitaxial PbSe Films |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
