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电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析
引用本文:郭也平,邓薰南,张红青. 电沉积CdTe半导体薄膜中Cd和Te含量的极谱分析[J]. 材料研究学报, 1991, 5(6): 494-497
作者姓名:郭也平  邓薰南  张红青
作者单位:上海科学技术大学技术大学化学系(郭也平),上海科学技术大学(邓薰南),上海科学技术大学(张红青)
摘    要:用极谱法分析电沉积 CdTe 半导体薄膜中 Cd 和 Te 的含量随电沉积电位、沉积温度和热处理温度的变化,获得 Cd 和 Te 原子数之比几乎为1∶1的 CdTe 薄膜。热处理能改变 CdTe 薄膜的导电类型。

关 键 词:极谱分析  CdTe 薄膜  电沉积
收稿时间:1991-12-25
修稿时间:1991-12-25

POLAROGRAPHIC DETERMINATION OF Cd AND Te IN ELECTRODEPOSITED CdTe THIN FILMS
GUO Yeping DENG Xunnan ZHANG Hongqing. POLAROGRAPHIC DETERMINATION OF Cd AND Te IN ELECTRODEPOSITED CdTe THIN FILMS[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1991, 5(6): 494-497
Authors:GUO Yeping DENG Xunnan ZHANG Hongqing
Affiliation:Shanghai University of Science and Technology
Abstract:The variations on composition of electrodeposited CdTe thin films withcathodic potentials,electrolyte temperatures and heat treatment temperatures were studiedby using polarographic method.The CdTe thin films where the Cd/Te atomic ratio equalunity was ob
Keywords:polarographic analysis  CdTe thin films  electrodeposit
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