| 热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响 |
| |
| 引用本文： | 汪凌,唐利,廖晓航,任利平.热载流子效应对CCD片上放大器寿命的影响[J].电子科技,2014,27(4):69-71,75. |
| |
| 作者姓名： | 汪凌 唐利 廖晓航 任利平 |
| |
| 作者单位： | (重庆光电技术研究所 第1研究室,重庆 400060) |
| |
| 摘 要： | 针对CCD片上放大器的寿命进行了研究。通过设计独立的MOSFET,使用衬底电流模型进行热载流子效应分析,研究其特性参数Gm退化量与退化时间关系,由此评价组成CCD片上放大器的寿命。研究结果表明,CCD片上放大器寿命随着栅长的减小而降低,制作LDD结构可提高CCD片上放大器寿命。
|
| 关 键 词： | CCD 放大器 寿命 热载流子效应 |
Effect of the Hot Carrier on the Life of the CCD On-chip Amplifier |
| |
| WANG Ling,TANG Li,LIAO Xiaohang,REN Liping.Effect of the Hot Carrier on the Life of the CCD On-chip Amplifier[J].Electronic Science and Technology,2014,27(4):69-71,75. |
| |
| Authors: | WANG Ling TANG Li LIAO Xiaohang REN Liping |
| |
| Affiliation: | (Research Section 1,Chongqing Optoelectronics Research Institute,Chongqing 400060,China) |
| |
| Abstract: | The life of the CCD on-chip amplifiers is studied.The relation between the characteristic parameters of Gm degradation and degradation time is found through hot carrier effect analysis using substrate current model on a tailor-made MOSFET to determine the composition of CCD on-chip amplifier life.The results show that the service life of CCD on-chip amplifiers decreases with the gate length,and the LDD structure can prolong the CCD chip amplifier service life. |
| |
| Keywords: | CCD amplifier life hot carrier effect |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《电子科技》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《电子科技》下载全文 |
|
