| 激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究 |
| |
| 引用本文： | 公衍生,涂溶,後藤孝. 激光化学气相沉积快速生长高取向TiN_x薄膜的研究[J]. 无机材料学报, 2010, 25(4): 391-395 |
| |
| 作者姓名： | 公衍生 涂溶 後藤孝 |
| |
| 作者单位： | 1. 中国地质大学 （武汉） 教育部纳米矿物材料及应用工程研究中心 材料科学与化学工程学院, 武汉 430074; 2. 日本东北大学 金属材料研究所, 仙台 980-8577 |
| |
| 基金项目： | 中央高校基本科研业务费专项基金 |
| |
| 摘 要： | 采用激光化学气相沉积（LCVD）技术在氧化铝衬底上制备了高取向的TiNx薄膜,重点研究了激光功率（PL）、衬底预热温度（Tpre）和沉积总压力（Ptot）对薄膜取向和沉积速率的影响,采用X射线衍射（XRD）、俄歇能谱（AES）和场发射扫描电镜（FESEM）对薄膜组成和结构进行了表征.结果表明：所得到的TiNx薄膜成分均匀,其取向与衬底预热温度有关,随着预热温度的升高,TiNx薄膜的取向由（111）变为（200）,薄膜的取向与其微观结构一致.TiNx薄膜的沉积速率随着激光功率升高而增大,在PL=100W时,达到最大值90μm/h（沉积面积为300mm2）,显著高于采用其它方法制备的TiNx薄膜.
|
| 关 键 词： | TiNx薄膜 快速生长 取向 激光化学气相沉积（LCVD） |
| 收稿时间： | 2009-07-21 |
| 修稿时间： | 2009-09-15 |
High-speed Deposition of Oriented TiN_x Films by Laser Metal-organic Chemical Vapor Deposition |
| |
| GONG Yan-Sheng ,TU Rong ,GOTO Takashi. High-speed Deposition of Oriented TiN_x Films by Laser Metal-organic Chemical Vapor Deposition[J]. Journal of Inorganic Materials, 2010, 25(4): 391-395 |
| |
| Authors: | GONG Yan-Sheng TU Rong GOTO Takashi |
| |
| Affiliation: | 1. Engineering Research Center of Nano-geomaterials of Ministry of Education, School of Materials Science and Chemical Engineering, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China; 2. Institute for Materials Research, Tohoku University, Sendai 980-8577, Japan |
| |
| Abstract: | TiNx films were prepared on Al2O3 substrates by laser chemical vapor deposition(LCVD).The effects of laser power(PL),pre-heatment temperature(Tpre) and total pressure in the main chamber(Ptot) on the orientation and deposition rate(Rdep) of TiNx films were investigated.The deposited TiNx films were characterized by X-ray diffraction(XRD),atomic emission spectrometry(AES) and field emission scanning electron microscope(FESEM).The results showed that the composition in TiNx films was uniform,and the orientati... |
| |
| Keywords: | TiNx films high-speed deposition orientation laser chemical vapor deposition(LCVD) |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《无机材料学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《无机材料学报》下载全文 |
|
