椭偏技术的原理及其在功能薄膜表征中的应用 |
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引用本文: | 孙顺明,张良莹.椭偏技术的原理及其在功能薄膜表征中的应用[J].压电与声光,1998,20(3):209-213. |
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作者姓名: | 孙顺明 张良莹 |
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作者单位: | 西安交通大学电子材料与器件研究所 |
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摘 要: | 随着计算机技术的不断发展,已有一百多年历史的椭偏技术的研究重点已从该技术本身转移到了它在材料分析中的新用途。通过介绍椭偏技术的测量原理,给出了椭偏仪在材料表征中的应用范围和局限。研究表明,结合其他分析工具并建立精细的椭偏模型,可变入射角光谱椭偏仪(VASE)能定量测量各种功能金属氧化物薄膜的厚度、光学常数和气孔率。VASE将在功能金属氧化物外延薄膜的生长控制和性能优化等方面发挥积极的作用。
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关 键 词: | VASE,椭偏技术,表征,功能金属氧化物薄膜 |
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