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| 硅单晶微缺陷研究进展 | |
| 作者姓名： | 段沛 |
| 作者单位： | 长沙半导体材料厂 |
| 摘 要： | 目前很多无位错硅单晶经过Sirtl腐蚀剂或改良的Sirtl腐蚀剂腐蚀后,在横断面上可看见呈漩涡状分布的浅底蚀坑。所谓硅单晶中微缺陷,目前主要就是指的这种缺陷。在硅器件制备热处理中,这种缺陷上将产生金属微沉淀、绝缘微沉淀及层错,损害硅器件性能。例如,使P-N结反向漏电流增大,产生局部微等离子击穿,使电荷耦合器件的寄存时间缩短,对集成电路影响更大。因此研究这种缺陷的机理,探索消除它们的方法,对于发展硅材料、提高硅器件性能具有重要意 |
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