|
|||||
|
|
| 高频辉光放电法制备含氟无定形硅及其性质的研究 | |
| 作者姓名： | 丁宇权 丁予上 江仲华 王秀芳 |
| 作者单位： | 浙江大学材料科学与工程学系(丁宇权，丁予上，江仲华)，浙江大学材料科学与工程学系(王秀芳) |
| 摘 要： | 含氟的无氢无定形硅(a-Si:F)是在SiF_4或 SiF_4+Ar 混合气体中用高频辉光放电法制备。本文论述了制备该材料的方法,讨论了该材料的氟含量和沉积速率与主要沉积参数的关系,并对 a-Si:F材料的红外光谱、形貌、热稳定性、导电性和肖特基势垒等特性进行了研究。 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |