| 氧压对用PLD法生长氧化锌薄膜的电学特性的影响 |
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| 引用本文： | 吴木生,叶志清,邓海东,欧阳桂仓,刘木林.氧压对用PLD法生长氧化锌薄膜的电学特性的影响[J].中国材料科技与设备,2007,4(4):41-43. |
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| 作者姓名： | 吴木生 叶志清 邓海东 欧阳桂仓 刘木林 |
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| 作者单位： | [1]江西师范大学理电学院,江西南昌330022 [2]华南农业大学理学院,广东广州510642 |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金资助项目（0512016） |
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| 摘 要： | 本文研究了用脉冲激光沉积（PLD）法制备ZnO薄膜，给出了在不同氧压下生长氧化锌（ZnO）薄膜的XRD谱、表面的AFM图以及电阻率、迁移率、载流子浓度以及导电类型等电学特性，为探索制备P型ZnO薄膜提供实验依据。
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| 关 键 词： | 氧化锌薄膜 脉冲激光沉积 电阻率 氧压 |
Influence of Oxygen Pressures on Growth of ZnO Thin Films by PLD and Its Electrical Properties |
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| WU Mu-sheng ,YE Zhi-qing ,DENG Hai-dong ,O Yang Gui-cang ,LIU Mu-lin.Influence of Oxygen Pressures on Growth of ZnO Thin Films by PLD and Its Electrical Properties[J].Chinese Materials Science Technology & Equipment,2007,4(4):41-43. |
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| Authors: | WU Mu-sheng YE Zhi-qing DENG Hai-dong O Yang Gui-cang LIU Mu-lin |
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| Affiliation: | 1. College of Physics and Communication Electronics, Jiangxi Normal University , Jiangxi, Nanchang 330022, China ; 2. College of Science, Southchina Agricultural University, Guangdong, Guangzhou, 510642, China |
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