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| LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列研究 | |
| 作者姓名： | 徐扬 董鸿林 石自彬 李德辉 吴玉池 付昌禄 |
| 作者单位： | （1. 中国电子科技集团公司第二十六研究所, 重庆 400060；2. 激光聚变研究中心，四川 绵阳 621000） |
| 基金项目： | 国防科工局配套基金资助项目（JPPT 125 5 169） |
| 摘 要： | 铝酸钇镥(LuYAP)∶Ce晶体具有衰减时间短,密度大,光产额高及不潮解等优点。采用该晶体制作的闪烁晶体阵列,能快速获得皮秒级正电子湮灭的精确信息。该文报道了一种LuYAP∶Ce闪烁晶体阵列的制作方法,将提拉法制备的LuYAP∶Ce晶体经切割并运用化学机械抛光法处理后,最终利用填充材料制作了晶体阵列。在X线光机上开展了阵列的发光均匀性测试,测得发光不均匀性为14.8%。结果表明,LuYAP∶Ce晶体满足使用要求。 |
| 关 键 词： | LuYAP∶Ce闪烁晶体 化学机械抛光 晶体阵列 发光均匀性 硫酸钡 |
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