| 表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响 |
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| 引用本文： | 谢峰,李德昌.表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响[J].电子科技,2009,22(3). |
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| 作者姓名： | 谢峰 李德昌 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,技术物理学院,陕西,西安,710071
2. 西安电子科技大学,理学院,陕西,西安,710071 |
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| 摘 要： | 基于静电学分析,得出表面态是电子的一个重要来源.基于这一分析,可以解释已发表的关于二维电子气(2DEC)的大量数据.例如,2DEG密度随着AlGaN层厚度、Al组分的变化的原因.当A10.3Ga0.7N/GaN结构中生长一层5 nm厚的GaN冒层时,2DEG浓度由1.47×1013cm-2减少到1.20×1013cm-2,减少是由于表面类施主态离化减少.由于充分厚的GaN冒层导致GaN/AlGaN/GaN上界面形成二维空穴气(2DHG),所以在超出特定的冒层厚度时2DEG浓度达到饱和.
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| 关 键 词： | 表面态 GaN冒层 |
Influence of Surface States on Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure |
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| Xie Feng,Li Dechang.Influence of Surface States on Two-Dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure[J].Electronic Science and Technology,2009,22(3). |
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| Authors: | Xie Feng Li Dechang |
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| Affiliation: | 1.School of Technical Physics;Xidian University;Xi'an 710071;China;2.School of Science;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AlGaN/GaN |
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