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| FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验 … | |
| 引用本文： | 贺朝会,陈晓华.FLASH ROM 28F256和29C256的14 MeV中子辐照实验 …[J].核电子学与探测技术,2000,20(2):115-120. |
| 作者姓名： | 贺朝会 陈晓华 |
| 作者单位： | [1]西北核技术研究所,西安 [2]西安交通大学微电子工程系,西安 |
| 摘 要： | 给出了国内首次ＦＬＡＳＨ ＲＭＯ器件的中子辐照效应实验研究结果，发现２８Ｆ２５６和２９Ｃ２５６器件的１４ＭｅＶ中子辐照效应不同于以往所认国的单粒子效应，它只有“０”→“１”错误。错误发生有个中子注量阈值，当中子注量小于某一个值时，无错误；当中子注量达到一定值时，开始出身错误，随着中子注量的增加，错误数增加，直到所有“０”变为“１”。动态监测和静态加电的器件都出现硬错误，不能用编程器重新写入数据。错 |
| 关 键 词： | FLASH ROM 14MeV 中子辐照实验 |
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