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| 环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究 | |
| 引用本文： | 马道京,张晋敏,王衍,朱培强,陈站,谢泉.环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究[J].纳米科技,2009,6(5):35-39. |
| 作者姓名： | 马道京 张晋敏 王衍 朱培强 陈站 谢泉 |
| 作者单位： | 贵州大学理学院贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 |
| 基金项目： | 贵州省自然科学基金项目（黔科合J字[2008]2002号）,贵州省科技厅国际合作项目（黔科合外G字（2009）700113号）.贵阳市科技局大学生创业科技项目（筑科计（2007）6-3号.筑科计（2007）6-1号）,贵州大学研究生创新基金项目（校研理工2009011）. |
| 摘 要： | 分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响，结果表明，影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间，此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。 |
| 关 键 词： | 薄膜制备 环境友好半导体β-FeSi2 热处理工艺 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |