| 环境友好半导体β-FeSi2薄膜的制备方法研究 |
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| 作者姓名： | 马道京 张晋敏 王衍 朱培强 陈站 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025;贵州大学理学院,贵州大学新型光电子材料与技术研究所,贵州,贵阳,550025 |
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| 基金项目： | 贵州省自然科学基金项目（黔科合J字[2008]2002号）,贵州省科技厅国际合作项目（黔科合外G字（2009）700113号）.贵阳市科技局大学生创业科技项目（筑科计（2007）6-3号.筑科计（2007）6-1号）,贵州大学研究生创新基金项目（校研理工2009011）. |
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| 摘 要： | 分析了制备和热处理过程中薄膜沉积方法和沉积条件、沉积速率、薄膜厚度、热处理方法和热处理条件等因素对β-FeSi2相的形成的影响,结果表明,影响β-FeSi2相形成的决定性因素是热处理的温度和时间,此外薄膜的沉积方法和薄膜厚度对β-FeSi2相也有重要的影响。
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| 关 键 词： | 薄膜制备 环境友好半导体β-FeSi2 热处理工艺 |
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