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| MoO_2低温金属化配方及工艺研究 | |
| 作者姓名： | 李景勋 张美玲 高陇桥 |
| 作者单位： | 电子工业部十二研究所，电子工业部十二研究所，电子工业部十二研究所 |
| 摘 要： | 引言在陶瓷—金属封接工艺中,低温金属化是一种理想的金属化方法。由于金属化温度低,因而工艺简便,节约能源,对设备要求低,适应特殊情况下的陶瓷金属化,普遍受到生产单位的欢迎。这些都是高温金属化所不及的。早在一九五四年Pincas就提出了Mo○_3低温金属化工艺。三十年来人们经过不断努力得到很大发展,工艺制度不断完善,在封接强度、气密性上都得到了满意的结果。然而低温金属化目前还不能取代高温金属化,其主要原因不是由于强度和气密性的不 |
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