| 基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术 |
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| 引用本文： | 吴,巩全成,贾世星,王敏杰,张勇,朱健.基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术[J].功能材料与器件学报,2008,14(2):376-379. |
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| 作者姓名： | 吴 巩全成 贾世星 王敏杰 张勇 朱健 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术.基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件.总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀.三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础.
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| 关 键 词： | GSG键合 研磨抛光工艺 微流体器件 |
| 文章编号： | 1007-4252(2008)02-0376-04 |
| 修稿时间： | 2007年7月20日 |
Triple-stack anodic bonding based on controllable thickness of in-between silicon |
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| WU Jing,GONG Quan-cheng,JIA Shi-xing,WANG Min-jie,ZHANG Yong,ZHU Jian.Triple-stack anodic bonding based on controllable thickness of in-between silicon[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(2):376-379. |
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| Authors: | WU Jing GONG Quan-cheng JIA Shi-xing WANG Min-jie ZHANG Yong ZHU Jian |
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