| FA/O阻挡层抛光液在铜布线中的去除速率的选择性优化 |
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| 引用本文： | 胡轶,李炎,刘玉岭,何彦刚.FA/O阻挡层抛光液在铜布线中的去除速率的选择性优化[J].半导体学报,2016,37(2):026003-5. |
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| 作者姓名： | 胡轶 李炎 刘玉岭 何彦刚 |
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| 基金项目： | 部委基金;省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 在阻挡层平坦化的过程中,由于不同材料去除速率的要求,所以有必要研发一种阻挡层抛光液来改善Cu/barrier/TEOS(SiO2)速率的选择性来减小蚀坑和碟形坑,。本次实验中,研发了一种不含腐蚀抑制剂BTA的FA/O碱性阻挡层抛光液。它包含了20mL/L的FA/O螯合剂，5mL/L的表面活性剂，磨料浓度为1:5，pH值为8.0。通过控制抛光液的成分，有效的控制了不同材料的去除速率。最后，考察FA/O阻挡层抛光液对介电层材料的影响。在进行完CMP过程后，检测介电层材料的性能。结果显示，漏电流在皮安级,电阻2.4 kΩ,电容2.3pF,碟形坑和蚀坑都在30nm以下。介质层的各项指标完全满足工业化生产的需要。
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| 关 键 词： | FA/O alkaline barrier slurry chemical mechanical planarization selectivity of removal rate dielectric material characterization |
| 收稿时间： | 2015/4/22 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2015/10/4 0:00:00 |
The optimization of FA/O barrier slurry with respect to removal rate selectivity on patterned Cu wafers |
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| Hu Yi,Li Yan,Liu Yuling,He Yangang.The optimization of FA/O barrier slurry with respect to removal rate selectivity on patterned Cu wafers[J].Chinese Journal of Semiconductors,2016,37(2):026003-5. |
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| Authors: | Hu Yi Li Yan Liu Yuling He Yangang |
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| Affiliation: | 1. School of Chemistry & Chemical Engineering, Xinjiang Normal University, Urumqi 830054, China;2. Institute of Microelectronics, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | FA/O alkaline barrier slurry chemical mechanical planarization selectivity of removal rate dielectric material characterization |
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