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采用杂化函数方法研究BxGa1-xN合金中的能带弯曲和交叉
引用本文:蒋家平,盖艳琴,唐刚. 采用杂化函数方法研究BxGa1-xN合金中的能带弯曲和交叉[J]. 半导体学报, 2016, 37(2): 023004-6. DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/023004
作者姓名:蒋家平  盖艳琴  唐刚
摘    要:采用Perdewe-Burkee–Ernzerhof的广义梯度近似(GGA-PBE)及Heyd-Scuseria-Ernzerhof屏蔽杂化函数方法(HSE06)对比研究了闪锌矿结构BxGa1-xN合金的电子结构性质。HSE06计算方法给出更接近实验结果的基态性质。采用两种计算方法得到的直接带隙的能带弯曲系数b? 都很大且依赖于成分;由两种方法得到的由直接带隙向间接带隙转变的合金成分非常相近。当向GaN中掺入小于55.7%的硼时,可以得到带隙值比GaN大的直接带隙BxGa1-xN 合金。

关 键 词:disordered system  BxGa1-xN  electronic structure  hybrid functional theory
收稿时间:2015-06-01
修稿时间:2015-08-22

Band gap bowing and crossing of BxGa1-xN alloy investigated by hybrid functional method
Jiang Jiaping,Gai Yanqin,Tang Gang. Band gap bowing and crossing of BxGa1-xN alloy investigated by hybrid functional method[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2016, 37(2): 023004-6. DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/023004
Authors:Jiang Jiaping  Gai Yanqin  Tang Gang
Affiliation:1. School of Electric Power Engineering, China University of Mining & Technology, Xuzhou 221116, China;2. Department of Physics, School of Sciences, China University of Mining and Technology, Xuzhou 221008, China
Abstract:
Keywords:disordered system  BxGa1-xN  electronic structure  hybrid functional theory
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