| In0.53Ga0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al2O3/InGaAs MOS电容特性的影响 |
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| 引用本文： | 林子曾,曹明民,王盛凯,李琦,肖功利,高喜,刘洪刚,李海鸥. In0.53Ga0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al2O3/InGaAs MOS电容特性的影响[J]. 半导体学报, 2016, 37(2): 026002-5. DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/026002 |
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| 作者姓名： | 林子曾 曹明民 王盛凯 李琦 肖功利 高喜 刘洪刚 李海鸥 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;省自然科学基金;其它;国家基础研究重大项目基金;国家重点基础研究发展计划（973计划） |
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| 摘 要： | 本文通过对比频散特性和滞回特性,计算界面态密度Dit和有效边界缺陷密度ΔNbt,分析界面缺陷和漏电流等方法,系统的研究了In0.53Ga0.47As表面氮化和硫钝化对其Al/Al2O3/InGaAs结构MOS电容特性的影响。实验结果表明,这两种方法都能够在InGaAs表明形成一层界面钝化层。相比较于未处理的样品,经过氮气等离子体处理的样品表现出较好的界面特性,得到了最小的积累区频散、滞回电压,以及良好的I-V性能。经过(NH4)2Sx处理的样品则获得了最小的平带电压区频散以及最低的界面态密度Dit=2.6E11cm-2eV-1.
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| 关 键 词： | N2 plasma (NH4)2Sx treatment interface properties MOS capacitors |
| 收稿时间： | 2015-06-19 |
| 修稿时间： | 2015-09-08 |
The effect of nitridation and sulfur passivation for In0.53Ga0.47As surfaces on their Al/Al2O3/InGaAs MOS capacitors properties |
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| Lin Zizeng,Cao Mingmin,Wang Shengkai,Li Qi,Xiao Gongli,Gao Xi,Liu Honggang. The effect of nitridation and sulfur passivation for In0.53Ga0.47As surfaces on their Al/Al2O3/InGaAs MOS capacitors properties[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2016, 37(2): 026002-5. DOI: 10.1088/1674-4926/37/2/026002 |
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| Authors: | Lin Zizeng Cao Mingmin Wang Shengkai Li Qi Xiao Gongli Gao Xi Liu Honggang |
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| Affiliation: | 1. Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China;Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;2. Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China;3. Guangxi Experiment Center of Information Science, Guilin University of Electronic Technology, Guilin 541004, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | N2 plasma (NH4)2Sx treatment interface properties MOS capacitors |
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