| 二氧化锡衬底上Sol-Gel PLT膜的性能研究 |
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| 引用本文： | 李金华,袁宁一,李坤,汤国英,陈王丽华.二氧化锡衬底上Sol-Gel PLT膜的性能研究[J].江苏工业学院学报,2001,13(2):1-4. |
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| 作者姓名： | 李金华 袁宁一 李坤 汤国英 陈王丽华 |
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| 作者单位： | 李金华（江苏石油化工学院功能材料实验室，江苏常州 213016）;袁宁一（江苏石油化工学院功能材料实验室，江苏常州 213016）;李坤（香港理工大学,九龙香港）;汤国英（香港理工大学,九龙香港）;陈王丽华（香港理工大学,九龙香港） |
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| 摘 要： | 用Sol-Gel钛酸镧铅（PLT）溶胶，在CVD法沉积生成的二氧化锡/玻璃衬底上旋转涂胶成膜。经快速热退火（RTA）处理后，用X射线衍射（XRD）测试了膜的结晶取向，用RT66A测试了膜的电学性能。结果表明，Sol-GelPLT膜在SnO2衬底上能正常结晶，结晶温度与在Pt衬底上一致，结晶取向以〈100〉为主取向。10V时，SnO2衬底上厚度为0.56μm的PLT膜的漏电约为5.6×10-7A/mm2,比Pt衬底上同等厚度的PLT膜高约一个数量级。膜的剩余极化强度Pr=24μC/cm2，比Pt衬底上的高。PLT/SnO2的疲劳特性优于PLT/Pt结构。
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| 关 键 词： | PLT薄膜 氧化物电极 溶胶-凝胶法 |
| 文章编号： | 1005-8893(2001)02-0001-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月2日 |
Ferroelectric Properties of Sol-Gel PLT Films on Tin-oxide Electrodes |
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