| 低能氩离子束对铍的刻蚀 |
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| 引用本文： | 廖益传,苏斌,法涛,尹安毅,路超.低能氩离子束对铍的刻蚀[J].稀有金属材料与工程,2023,52(5):1610-1615. |
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| 作者姓名： | 廖益传 苏斌 法涛 尹安毅 路超 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院 材料研究所，四川 江油 621907,中国工程物理研究院 材料研究所，四川 江油 621907,中国工程物理研究院 材料研究所，四川 江油 621907,中国工程物理研究院 材料研究所，四川 江油 621907,中国工程物理研究院 材料研究所，四川 江油 621907 |
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| 基金项目： | NSFC (21908210) |
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| 摘 要： | 研究了0～1000 eV的低能氩（Ar）离子束对Be的刻蚀。比较了多种不同的表面抛光方法，结果发现Ar离子束刻蚀能获得高质量的Be表面。随着刻蚀的持续进行，Be表面质量逐渐提升，表面粗糙度在600 eV和100 mA的条件下刻蚀6 h后趋于稳定，达到了0.63 μm。比较了白光干涉（WLI）和聚焦离子束（FIB）的测量方法，发现FIB测量法更适合Be刻蚀深度的测量。实验结果和理论计算表明，Be的溅射过程与其被Ar离子轰击后的电离过程较为接近。采用第一电离能作为溅射阈值，获得了Ar离子能量对Be溅射产额的影响规律，获得了Be刻蚀速率随Ar离子束流和溅射产额乘积的变化规律，为Be刻蚀的工程应用奠定了基础。
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| 关 键 词： | 氩离子束 铍 刻蚀 |
| 收稿时间： | 2022/4/20 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/10/6 0:00:00 |
Etching of Low Energy Argon Ion Beam on Beryllium |
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| Liao Yichuan,Su Bin,Fa Tao,Yin Anyi and Lu Chao.Etching of Low Energy Argon Ion Beam on Beryllium[J].Rare Metal Materials and Engineering,2023,52(5):1610-1615. |
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| Authors: | Liao Yichuan Su Bin Fa Tao Yin Anyi and Lu Chao |
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| Affiliation: | Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou 621907, China,Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou 621907, China,Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou 621907, China,Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou 621907, China,Institute of Materials, China Academy of Engineering Physics, Jiangyou 621907, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | argon ion beam beryllium etching |
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