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| 集成电路单粒子瞬态效应与测试方法 | |
| 作者姓名： | 刘健波 刘远 恩云飞 雷志锋 王晓晗 杨元政 |
| 作者单位： | 广东工业大学材料与能源学院;工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61204112);中国博士后科学基金资助项目(2012M521628) |
| 摘 要： | 随着器件尺寸的等比例缩小,单粒子瞬态效应对集成电路的影响愈发明显,其产生机理及作用更加复杂。从集成电路单粒子瞬态脉冲的产生机理及模型出发,讨论分析了模拟和数字集成电路的单粒子瞬态效应,介绍了单粒子瞬态脉冲宽度的测试方法与测试结构。 |
| 关 键 词： | 单粒子效应 单粒子瞬态效应 自测试结构 |
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