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| 基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究 | |
| 引用本文： | 陈佳,乔哲,唐昭焕,王斌,谭开洲.基于锎源的N沟道VDMOS器件单粒子效应研究[J].微电子学,2014(1). |
| 作者姓名： | 陈佳 乔哲 唐昭焕 王斌 谭开洲 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所;模拟集成电路重点实验室; |
| 摘 要： | 分析了N沟道VDMOS器件的单粒子辐射损伤机理和损伤模式,讨论了VDMOS器件的单粒子辐射加固措施。使用锎源,对采取了加固措施的一款200V高压N沟道VDMOS器件进行单粒子效应试验研究。对比分析了不同漏源电压和栅源电压以及不同真空度对VDMOS单粒子效应的影响,可为VDMOS器件的单粒子辐射加固、试验验证及应用提供参考。 |
| 关 键 词： | VDMOS 单粒子效应 锎源 单粒子烧毁 单粒子栅穿 |
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