4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计 |
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引用本文: | 苗志坤,陈光,左国辉.4H-SiC TSOB结势垒肖特基二极管的结构优化设计[J].微电子学,2014(2). |
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作者姓名: | 苗志坤 陈光 左国辉 |
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作者单位: | 航天科工防御技术研究试验中心;中国电子科技集团公司第五十四研究所; |
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摘 要: | 室温下,沟槽底部有氧化物间隔的结势垒肖特基二极管的击穿电压达到2 009V,正向导通压降为2.5V,在正向偏压为5V时,正向电流密度为300A/cm2。在P型多晶硅掺杂的有源区生成双层SiO2间隔,以优化漂移区电场分布,正向导通压降为2.5V,击穿电压达到2 230V,耐压值提高11%。反向电压为1 000V时,反向漏电流密度比普通结构降低90%,有效地降低了器件的漏电功耗。普通结构的开/关电流比为2.56×103(1~500V),而改进结构的开/关电流比为3.59×104(1~500V)。
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关 键 词: | 肖特基二极管 导通压降 击穿电压 反向漏电流 |
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