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| 氮化对蓝宝石衬底上AlGaN/GaN异质结材料性能的影响 | |
| 作者姓名： | 姚艳丽 张进成 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院宽带隙半导体技术重点实验室; |
| 基金项目： | 青年科学基金资助项目“W波段InAlN MOS-HEMT材料制备及物性研究”(61306017) |
| 摘 要： | 研究了不同氮化条件对蓝宝石衬底上生长的AlGaN/GaN异质结材料特性的影响。研究表明,随着氮化过程NH3流量的增大,GaN外延层的晶体质量得到了改善,GaN内应力释放,但是AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的迁移率有所恶化。讨论了上述现象出现的原因。 |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN 氮化 异质结材料 蓝宝石衬底 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |