| 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析 |
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| 引用本文： | 姜岩峰,李思渊,刘肃,曹磊,薄建军. 用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析[J]. 半导体学报, 2000, 21(7): 686-690 |
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| 作者姓名： | 姜岩峰 李思渊 刘肃 曹磊 薄建军 |
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| 作者单位： | 兰州大学物理系静电感应器件研究所!兰州730000 |
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| 摘 要： | 用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低
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| 关 键 词： | SiC 钝化层 |
4H-SiC n~+pp~+ Structure Passivated with SIPOS-SiO_2 Compound Layer |
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| JIANG Yan|feng,LI Si|yuan,LIU Su,CAO Lei and BO Jian|jun. 4H-SiC n~+pp~+ Structure Passivated with SIPOS-SiO_2 Compound Layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(7): 686-690 |
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| Authors: | JIANG Yan|feng LI Si|yuan LIU Su CAO Lei BO Jian|jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC passivation layer |
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