| FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测 |
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| 引用本文： | 穆甫臣,许铭真,谭长华,段小蓉.FN应力下超薄栅N-MOSFET失效的统计特征及寿命预测[J].半导体学报,2001,22(12):1577-1580. |
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| 作者姓名： | 穆甫臣 许铭真 谭长华 段小蓉 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子所 北京100871
(穆甫臣，许铭真，谭长华)，北京大学微电子所 北京100871(段小蓉) |
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| 摘 要： | 通过对不同氧化层厚度的 N- MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究 ,发现栅电压漂移符合 Weibull分布 . Weibull分布统计分析表明 ,5 .0、 7.0和 9.0 nm器件在 2 7和 10 5℃下本征失效的形状因子相同 ,即本征失效的失效机制在高低温度下相同 .非本征失效的比例随温度升高而增大 .在此基础上得出平均寿命 (t50 )与加速电场E成指数关系 ,进而提出了器件的寿命预测方法 .此方法可预测超薄栅 N- MOSFET在 FN应力下的寿命
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| 关 键 词： | 可靠性 超薄栅MOSFET Weibull分布 |
| 文章编号： | 0253-4177(2001)12-1577-04 |
| 修稿时间： | 2001年1月17日 |
Statistical Failure Characteristics of N-MOSFET's with Ultrathin Gate Oxides Under FN Stress and Lifetime Prediction |
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| MU Fu chen,XU Ming zhen,TAN Chang hua and DUAN Xiao rong.Statistical Failure Characteristics of N-MOSFET's with Ultrathin Gate Oxides Under FN Stress and Lifetime Prediction[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(12):1577-1580. |
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| Authors: | MU Fu chen XU Ming zhen TAN Chang hua and DUAN Xiao rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reliability ultrathin gate MOSFET Weibull distribution |
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