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| 电子辐照激活硅中不激活铜的DLTS测量方法 | |
| 作者姓名： | 陈开茅 钱思敏 兰李桥 |
| 作者单位： | 北京大学物理系(陈开茅)，北京师范大学低能所(钱思敏)，北京师范大学低能所(兰李桥) |
| 摘 要： | 一般情况下,硅中的铜只有很小—部分是电激活的.因此当硅中含铜量微小时,就难于用DLTS等方法来测量它.本文提出一个用电子辐照使硅中不激活的铜电激活并用DLTS测量的方法.这对于检测硅材料中铜污染很有用处.文中还提出一个能比较准确地估算深能级平均浓度的公式. |
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